[发明专利]硅片的制备方法及装置在审
| 申请号： | 201811454355.2 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109559988A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 闫浩;吴孝哲;林宗贤;吴龙江;熊建锋;刘强 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种硅片的制备方法及装置，所述方法包括：在还原性气体的等离子态气氛下，对硅片进行第一步退火，所述第一步退火的过程中，退火温度从起始温度上升至第一预设温度；在还原性气体的等离子态气氛下，对所述硅片进行第二步退火，所述第二步退火的过程中，退火温度保持为所述第一预设温度；其中，所述还原性气体的等离子态气氛为包含有基于还原性气体产生的等离子体的气氛。本发明方案可以提高硅片的品质、降低生产成本，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 退火 还原性气体 等离子态 制备方法及装置 一步退火 预设 等离子体 生产效率 温度保持 | ||
【主权项】：
1.一种硅片的制备方法，其特征在于，包括：在还原性气体的等离子态气氛下，对硅片进行第一步退火，所述第一步退火的过程中，退火温度从起始温度上升至第一预设温度；在还原性气体的等离子态气氛下，对所述硅片进行第二步退火，所述第二步退火的过程中，退火温度保持为所述第一预设温度；其中，所述还原性气体的等离子态气氛为包含有基于还原性气体产生的等离子体的气氛。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
