[发明专利]通过铜凸块侧壁保护而防止受电偶腐蚀而缺失凸块在审
| 申请号： | 201811455016.6 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN110034023A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 朴炫壽;李圭伍;徐澄;金瑞暎 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李啸;张金金 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施例包括半导体封装件和形成半导体封装件的方法。半导体封装件包括安置于导电层上的抗蚀层。半导体封装件还具有安置于导电层上的凸块。凸块具有顶面和一个或多个侧壁。半导体封装件还包括安置于凸块的顶面和一个或多个侧壁上的表面抛光剂。半导体封装件可以具有环绕凸块的顶面和侧壁以保护凸块免受电偶腐蚀的表面抛光剂。表面抛光剂可以包括镍‑钯‑金（NiPdAu）表面抛光剂。半导体封装件还可以具有安置于抗蚀层的顶面上的晶种和安置于晶种上的电介质。电介质可以环绕凸块的侧壁。半导体封装件可以包括作为无电镀的铜晶种的晶种。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体封装件 凸块 表面抛光剂 侧壁 晶种 安置 顶面 电介质 导电层 抗蚀层 环绕 铜凸块侧壁 腐蚀 无电镀 电偶 受电 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装件，包含：导电层上的抗蚀层；所述导电层上的凸块，其中，所述凸块具有顶面和一个或多个侧壁；以及所述凸块的所述顶面和所述一个或多个侧壁上的表面抛光剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
