[发明专利]一种去除氯硅烷中杂质的方法及装置有效
| 申请号： | 201811455065.X | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109279611B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 曹玲玲;蔡延国;李彦;宗冰;肖建忠;王体虎 | 申请（专利权）人： | 亚洲硅业（青海）股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107;B01D3/14;B01D3/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 810007 青海省*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | 本发明提供一种去除氯硅烷中杂质的方法及装置，其将氯硅烷通入精馏塔内，通过含物理吸附剂的吸附脱附段对氯硅烷中的杂质进行处理，并结合精馏和提馏完成整个生产过程；其中物理吸附剂包括第一组分，第一组分为含羧基的化合物、含氨基的化合物、聚合氯化铝中的一种或多种。本发明采用物理吸附剂的选择吸附功能，能够有效去除氯硅烷中的痕量杂质，特别是碳有机杂质，除杂效率高，环保性好，进一步提升和稳定了氯硅烷的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 硅烷 杂质 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种去除氯硅烷中杂质的方法，其特征在于，用物理吸附剂对含有杂质的气相氯硅烷进行处理，得到处理后的气相氯硅烷；所述物理吸附剂包括第一组分，所述第一组分为含羧基的化合物、含氨基的化合物、聚合氯化铝中的一种或多种。
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