[发明专利]基于非周期光栅化栅极金属栅MOSFET太赫兹探测器有效
| 申请号： | 201811456313.2 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109855729B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 马建国;周绍华 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01J1/44 | 分类号： | G01J1/44 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 吴学颖 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于非周期光栅化栅极金属栅MOSFET太赫兹探测器，包括具有非周期性光栅化栅极及其各种不同图案形式的金属栅MOSFET、低噪声前置放大器和电压反馈回路；金属栅MOSFET栅极用于接收太赫兹信号，且经一号偏置电阻连接一号偏置电压源，金属栅MOSFET源极接地，金属栅MOSFET漏极和低噪声前置放大器正向输入端之间连接一号隔直电容；低噪声前置放大器正向输入端经二号偏置电阻连接二号偏置电压源；电压反馈回路包括反馈电阻、接地电阻、二号隔直电容和三号隔直电容。本发明通过调节栅极的光栅化结构参数来实现THz响应波段范围的调节，从而提高探测器的探测灵敏度，实现窄带(甚至点频)太赫兹探测。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 周期 光栅 栅极 金属 mosfet 赫兹 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种基于非周期光栅化栅极金属栅MOSFET太赫兹探测器，其特征在于，包括具有非周期性光栅化栅极及其各种不同图案形式的金属栅MOSFET(Q1)、低噪声前置放大器(Q2)和电压反馈回路；所述金属栅MOSFET(Q1)的栅极用于接收太赫兹信号，且经一号偏置电阻(Rb1)连接一号偏置电压源(Vb1)，所述金属栅MOSFET(Q1)的源极接地(GND)，所述金属栅MOSFET(Q1)的漏极和低噪声前置放大器(Q2)的正向输入端之间连接有一号隔直电容(C1)；所述低噪声前置放大器(Q2)的正向输入端经二号偏置电阻(Rb2)连接二号偏置电压源(Vb2)；所述电压反馈回路包括反馈电阻(Rf)、接地电阻(Rg)、二号隔直电容(C2)和三号隔直电容(C3)，所述反馈电阻(Rf)连接于低噪声前置放大器(Q2)的输出端和反向输入端之间，所述接地电阻(Rg)一端连接低噪声前置放大器(Q2)的反向输入端，另一端经二号隔直电容(C2)接地(GND)，所述三号隔直电容(C3)一端连接低噪声前置放大器(Q2)的输出端，另一端接地(GND)。
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