[发明专利]基于MOSFET栅极光栅化THz探测器制备方法

摘要

本发明公开了一种基于MOSFET栅极光栅化THz探测器制备方法：在硅基底上依次通过光刻、离子注入、去胶、氧化物生长、牺牲层沉积、刻蚀、源漏区离子注入、源漏电极生长，制备出THz探测器底部器件；将THz探测器底部器件通过掩膜版刻蚀手段进一步制备出符合要求的光栅栅极结构；将光栅栅极结构利用电子束蒸发制备出沉积厚度满足预期的金属层，完成THz探测器器件制备。本发明以光栅结构替代CMOS器件中原有MOSFET的金属栅，本发明制备的太赫兹探测器，在探测的过程中，可利用光栅化的金属栅极与CMOS沟道间的增强Plasmonic谐振效应，提高探测器的响应速度。

主权项

1.一种基于MOSFET栅极光栅化THz探测器制备方法，其特征在于，在基于CMOS的THz探测器栅极制备过程中，用微/纳米技术构筑微米或纳米级光栅阵列结构型栅极；通过对栅极的光栅化结构参数(光栅的宽度、长度、区域面积、周期和图案形式)的调节来实现对不同波段THz辐射进行选择性响应和探测；具体包括以下步骤：第一步：在硅基底上依次通过光刻、离子注入、去胶、氧化物生长、牺牲层沉积、刻蚀、源漏区离子注入、源漏电极生长，制备出THz探测器底部器件；第二步：将第一步中的THz探测器底部器件通过掩膜版刻蚀手段进一步制备出符合要求的光栅栅极结构；第三步：将第二步中的光栅栅极结构利用电子束蒸发制备出沉积厚度满足预期的金属层，完成THz探测器器件制备。