[发明专利]一种等离子切割实现超窄切割道的工艺有效
| 申请号： | 201811458545.1 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109894725B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 任傲傲 | 申请（专利权）人： | 全讯射频科技(无锡)有限公司 |
| 主分类号： | B23K10/00 | 分类号： | B23K10/00;B23K103/00 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人： | 顾吉云 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种等离子切割实现超窄切割道的工艺，其可实现在半导体晶圆上的超窄切割道的切割，可有效维持产品强度，避免后续生产中产品芯片破裂的问题出现，其包括以下工艺步骤：步骤1，在半导体晶圆的正面做植球，步骤2：将尺寸与半导体晶圆相适应的金属环贴附在BG‑UV膜上，然后将半导体晶圆翻转贴装于金属环的内侧，步骤3：采用半导体晶圆研磨设备将半导体晶圆的厚度减小，步骤4：对半导体晶圆的背面进行保护胶涂敷操作，步骤5：对半导体晶圆背面的保护胶进行开槽，步骤6：对应保护胶的开槽的位置，采用等离子切割机对半导体晶圆的背面进行超窄切割道的切割操作，步骤7：对半导体晶圆进行保护胶清洗操作，步骤8：将半导体晶圆倒至DC‑UV膜上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子 切割 实现 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种等离子切割实现超窄切割道的工艺，其特征在于，其包括以下工艺步骤：步骤1：采用锡膏印刷与回流焊工艺在半导体晶圆的正面做植球；步骤2：将尺寸与半导体晶圆相适应的金属环贴附在BG‑UV膜上，然后将经步骤1处理的半导体晶圆翻转，使其正面朝下贴装于金属环的内侧，将植球全部埋入BG‑UV膜内，半导体晶圆的正面与BG‑UV膜紧密接触贴合；步骤3：采用半导体晶圆研磨设备将经步骤2处理后的半导体晶圆的背面进行研磨；步骤4：采用激光切割机对经步骤3处理后的半导体晶圆的背面进行保护胶涂敷操作；步骤5：采用激光切割机对经步骤4处理后的半导体晶圆背面的保护胶进行开槽：步骤6：对应经步骤5处理后的保护胶的开槽的位置，采用等离子切割机对半导体晶圆的背面进行超窄切割道的切割操作，超窄切割道为上宽下窄结构，超窄切割道的宽度为3μm ‑30μm；步骤7：对经步骤6处理后的半导体晶圆进行保护胶清洗操作；步骤8：将经步骤7处理后的半导体晶圆倒至DC‑UV膜上。
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