[发明专利]一种改善衬底缺陷处的图形刻蚀的方法

摘要

本发明提供了一种改善衬底缺陷处的图形刻蚀的方法，用于聚焦离子束机台，衬底放置于聚焦离子束机台的样品台上，样品台接地，衬底具有导电性，衬底上覆盖有绝缘层，缺陷位于绝缘层上，通过在绝缘层上横向距离缺陷5～10μm处制备一沟槽，并形成导电层以填充沟槽并覆盖绝缘层的表面，导电层用于提供一导电通道。通过制备导电通道，实现了接地效果，能够导走绝缘层上的电荷，使得缺陷附近的刻蚀图形得到改善，从而改善了在衬底缺陷处的图形刻蚀，提高了制程缺陷分析的时效性，提高了工作效率，减少了经济损失。

主权项

1.一种改善衬底缺陷处的图形刻蚀的方法，用于聚焦离子束机台，所述衬底放置于所述聚焦离子束机台的样品台上，所述样品台接地，所述衬底具有导电性，所述衬底上覆盖有绝缘层，所述缺陷位于所述绝缘层上，其特征在于，包括以下步骤：S1：在所述绝缘层上横向距离所述缺陷5～10μm处制备一沟槽，所述沟槽的底部位于所述衬底中，所述沟槽和所述缺陷沿所述绝缘层的表面的横向方向间隔分布；S2：形成导电层以填充所述沟槽并覆盖所述绝缘层的表面，所述导电层用于提供一导电通道。