[发明专利]基于非周期光栅化栅源极MOSFET太赫兹探测器在审
| 申请号： | 201811458940.X | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109655153A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 马建国;周绍华 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01J1/44 | 分类号： | G01J1/44 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 吴学颖 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于非周期光栅化栅源极MOSFET太赫兹探测器，包括具有非周期性光栅化栅源极及其各种不同图案形式的金属栅MOSFET、低噪声前置放大器和电压反馈回路；金属栅MOSFET的栅极和源极均用于接收太赫兹信号，金属栅MOSFET的栅极经一号偏置电阻连接一号偏置电压源，金属栅MOSFET的漏极和低噪声前置放大器的正向输入端之间连接有一号隔直电容；低噪声前置放大器的正向输入端经二号偏置电阻连接二号偏置电压源；电压反馈回路包括反馈电阻、接地电阻、二号隔直电容和三号隔直电容。本发明通过调节栅源极的光栅化结构参数来实现THz响应波段范围的调节，从而提高探测器的探测灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 光栅化 金属栅 栅源极 前置放大器 隔直电容 低噪声 电压反馈回路 太赫兹探测器 偏置电压源 正向输入端 偏置电阻 非周期 太赫兹信号 探测灵敏度 反馈电阻 非周期性 接地电阻 结构参数 图案形式 波段 探测器 漏极 源极 响应 | ||
【主权项】：
1.一种基于非周期光栅化栅源极MOSFET太赫兹探测器，其特征在于，包括具有非周期性光栅化栅源极及其各种不同图案形式的金属栅MOSFET(Q1)、低噪声前置放大器(Q2)和电压反馈回路；所述金属栅MOSFET(Q1)的栅极和源极均用于接收太赫兹信号，所述金属栅MOSFET(Q1)的栅极经一号偏置电阻(Rb1)连接一号偏置电压源(Vb1)，所述金属栅MOSFET(Q1)的漏极和低噪声前置放大器(Q2)的正向输入端之间连接有一号隔直电容(C1)；所述低噪声前置放大器(Q2)的正向输入端经二号偏置电阻(Rb2)连接二号偏置电压源(Vb2)；所述电压反馈回路包括反馈电阻(Rf)、接地电阻(Rg)、二号隔直电容(C2)和三号隔直电容(C3)，所述反馈电阻(Rf)连接于低噪声前置放大器(Q2)的输出端和反向输入端之间，所述接地电阻(Rg)一端连接低噪声前置放大器(Q2)的反向输入端，另一端经二号隔直电容(C2)接地(GND)，所述三号隔直电容(C3)一端连接低噪声前置放大器(Q2)的输出端，另一端接地(GND)。
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