[发明专利]一种掩膜版及镜头照明均一性的检测方法在审
申请号: | 201811460063.X | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN109491197A | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 任琳晓;蔡亮 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44;G03F7/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种掩膜版,所述掩膜版包括:基版,所述基版上具有以阵列形式排布的多个掩膜图形,多个所述掩膜图形的形状相同,所述基版上的所述掩膜图形的数量分布的比较多,可表征整个光刻机镜头面内照明分布趋势。本发明还提供了一种镜头照明均一性的检测方法,首先,通过所述掩膜版在晶片上的光刻胶层形成与所述掩膜图形对应的量测图形,然后,对所述量测图形的线宽尺寸进行测量,最后,根据所述量测图形的线宽尺寸的大小得到所述镜头的照明均一性,这样可以间接一次性实时地检测光刻机镜头的不同位置的光强度差异,实时有效监控光刻机曝光性能稳定性,确保了产品品质安全。 | ||
搜索关键词: | 掩膜图形 掩膜版 照明均一性 基版 量测 镜头 线宽 光刻机镜头 光强度差异 产品品质 分布趋势 光刻胶层 曝光性能 数量分布 有效监控 阵列形式 光刻机 检测光 一次性 检测 晶片 刻机 排布 测量 安全 | ||
【主权项】:
1.一种掩膜版,其特征在于,包括:基版,所述基版上具有以阵列形式排布的多个掩膜图形,多个所述掩膜图形的形状相同。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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