[发明专利]晶圆翘曲程度的监控方法在审
| 申请号： | 201811460067.8 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109560002A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 杨帆;赵彬;王剑 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出的一种晶圆翘曲程度的监控方法，包括：首先，在衬底上形成的第一膜层上形成图案化的光刻胶层并刻蚀所述第一膜层得到图案化的第一膜层；然后，对所述图案化的光刻胶层或者所述图案化的第一膜层进行量测，得到基准数据；接着，形成第二膜层并对所述第二膜层进行量测，得到检验数据；最后将所述检验数据与所述基准数据进行比较，监控晶圆的翘曲程度，利用所述图案化的光刻胶层或者图案化的第一膜层获取基准数据，提前了获取基准数据的时间，提高了工作效率，并且保证了发现晶圆翘曲问题的及时性和可靠性，减少了晶圆的返工率。进一步的，获取第二膜层的检验数据后不必再进行冗余的工艺步骤，避免了晶圆表面的二次污染，提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 图案化 第一膜层 基准数据 光刻胶层 检验数据 膜层 晶圆翘曲 晶圆 量测 翘曲 监控 二次污染 工艺步骤 工作效率 晶圆表面 冗余 衬底 返工 刻蚀 良率 种晶 保证 发现 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆翘曲程度的监控方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第一膜层，并在所述第一膜层上形成图案化的光刻胶层；刻蚀所述第一膜层以在所述第一膜层中形成沟槽，得到图案化的第一膜层；对所述图案化的光刻胶层或者所述图案化的第一膜层进行量测，得到第一组对准数据，作为基准数据；去除所述图案化的光刻胶层；形成第二膜层，所述第二膜层覆盖所述图案化的第一膜层的上表面、所述沟槽的底壁及所述沟槽的侧壁；对所述第二膜层进行量测，得到第二组对准数据，作为检验数据；将所述检验数据与所述基准数据进行比较，监控晶圆的翘曲程度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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