[发明专利]光子集成电路在审
| 申请号： | 201811461304.2 | 申请日： | 2018-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN109669243A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 陆远林 | 申请（专利权）人： | 仪征市嘉中电子元件有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/126 | 分类号： | G02B6/126;G02B6/122;G02B6/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及光子集成电路。光子集成电路包括位于两个连续互连金属层之间的光耦合设备。光耦合设备包括第一光学部分，第一光学部分接收具有横向磁分量和在基模中的横向电分量的光学信号。第二光学部分将光信号的横向磁分量转换成处于高阶模中的转换的横向电分量。第三光学部分将横向电分量与转换的横向电分量分离，并将高阶模切换到基模。第四光学部分将横向电分量传输到一个波导，并将转换的横向电分量传输到另一波导。 | ||
| 搜索关键词： | 电分量 光子集成电路 转换 光耦合设备 磁分量 高阶模 波导 基模 互连金属层 光学信号 传输 | ||
【主权项】：
1.一种光子集成电路，其特征在于，包括：衬底，由包括多个金属层的互连区域覆盖；至少两个波导；以及至少一个耦合设备，位于所述互连区域的两个连续的金属层之间；其中所述至少一个耦合设备包括：第一部分，被耦合到所述光子集成电路的侧面并且被配置为接收入射光信号，所述信号包括横向磁分量和处于基模中的横向电分量，第二部分，被耦合到所述第一部分并且被配置为将所述入射光信号的所述横向磁分量转换成处于高阶模中的转换的横向电分量，第三部分，被配置为将所述横向电分量和所述转换的横向电分量分离，以便将所述转换的横向电分量切换到基模中，以及第四部分，被配置为将所述横向电分量和所述转换的横向电分量传输到所述至少两个波导。
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