[发明专利]基于Si衬底的N极性面富In组分氮化物材料生长方法在审
| 申请号： | 201811462579.8 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109599462A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 张宁;冯梁森;魏学成;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种基于Si衬底的N极性面富In组分氮化物材料生长方法，包括：步骤A：在Si衬底的表面利用氨源或氮气氮化一层Si3N4膜，该Si3N4膜的晶体取向为(001)方向；步骤B：在所述Si3N4膜的表面依次沉积生长AlN成核层以及AlN buffer层；步骤C：在所述AlN buffer层上外延生长GaN膜；步骤D：在所述GaN膜的表面外延生长富In组分的氮化物薄膜。本公开提供的基于Si衬底的N极性面富In组分氮化物材料生长方法能够制备出低成本的N极性面富In组分氮化物材料及相应的微电子与光电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物材料 极性面 衬底 生长 氮气 氮化物薄膜 光电子器件 表面外延 晶体取向 外延生长 氮化 成核层 低成本 氨源 沉积 制备 微电子 | ||
【主权项】：
1.一种基于Si衬底的N极性面富In组分氮化物材料生长方法，包括：步骤A：在Si衬底的表面利用氨源或氮气氮化一层Si3N4膜，该Si3N4膜的晶体取向为(001)方向；步骤B：在所述Si3N4膜的表面依次沉积生长AlN成核层以及AlN buffer层；步骤C：在所述AlN buffer层上外延生长GaN膜；步骤D：在所述GaN膜的表面外延生长富In组分的氮化物薄膜。
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