[发明专利]三维半导体存储器件

摘要

一种三维半导体存储器件包括：外围逻辑结构，包括设置在半导体衬底上的多个外围逻辑电路；水平半导体层，设置在外围逻辑结构上；电极结构，包括竖直地交替堆叠在水平半导体层上的多个电极和绝缘层；以及贯通互连结构，穿透电极结构和水平半导体层，并且包括连接到外围逻辑结构的贯通插塞。绝缘层中的第一绝缘层的侧壁与贯通插塞间隔开第一距离。电极中的第一电极的侧壁与贯通插塞间隔开大于第一距离的第二距离。

主权项

1.一种三维3D半导体存储器件，包括：外围逻辑结构，包括设置在半导体衬底上的多个外围逻辑电路；水平半导体层，设置在所述外围逻辑结构上；电极结构，包括竖直地交替堆叠在所述水平半导体层上的多个电极和绝缘层；以及贯通互连结构，穿透所述电极结构和所述水平半导体层，并且包括连接到所述外围逻辑结构的贯通插塞，其中，所述绝缘层中的第一绝缘层的侧壁与所述贯通插塞间隔开第一距离，并且其中，所述电极中的第一电极的侧壁与所述贯通插塞间隔开大于所述第一距离的第二距离。