[发明专利]一种保证多晶硅片或类单晶硅片质量稳定性的方法在审
| 申请号： | 201811463937.7 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN109585275A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 刘世龙;张泽兴;路景刚 | 申请（专利权）人： | 包头美科硅能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/66;H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 任立;艾中兰 |
| 地址： | 014000 内蒙古自治区*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开一种保证多晶硅片或类单晶硅片质量稳定性的方法，其特征在于包括如下步骤：步骤一：测试晶砖一侧面少子寿命情况；步骤二：根据所述侧面少子寿命情况，将晶砖截断得到尾料、可切片晶砖、头料、杂质层；步骤三：测试头料下截断面的少子寿命情况；步骤四：根据头料下截断面少子寿命情况，把可切片晶砖划分为不同等级进行返截。本发明成本低，实施简便，能有效保证硅片的质量，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 少子寿命 截断 类单晶硅片 质量稳定性 多晶硅片 切片 生产效率 侧面 测试头 杂质层 保证 硅片 尾料 测试 | ||
【主权项】：
1.一种保证多晶硅片或类单晶硅片质量稳定性的方法，其特征在于包括如下步骤：步骤一：测试晶砖一侧面少子寿命情况；步骤二：根据所述侧面少子寿命情况，将晶砖截断得到尾料、可切片晶砖、头料、杂质层；步骤三：测试头料下截断面的少子寿命情况；步骤四：根据头料下截断面少子寿命情况，把可切片晶砖划分为不同等级：1）截断面少子寿命较好，则可切片晶砖不需要返截，直接流转到下一个工序；2）截断面少子寿命一般，则可切片晶砖返截10‑20mm后再流转到下一工序；3）截断面少子寿命较差，则可切片晶砖返截20‑60mm后再流转到下一工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
