[发明专利]负性光刻胶及其应用有效
| 申请号： | 201811465317.7 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN109343309B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李颖 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/038 | 分类号： | G03F7/038;G03F7/004;G03F7/32 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种负性光刻胶及其应用，所述负性光刻胶含有邻苯二酚基团。所述负性光刻胶涂覆并固化于硅基底的表面形成负性光阻，所述硅基底的表面具有羟基结构，所述负性光刻胶具有邻苯二酚基团，所述邻苯二酚基团中的羟基结构与所述硅基底的羟基结构之间形成氢键结构。本发明的负性光刻胶及其应用，通过在负性光刻胶内加入带有邻苯二酚基团的化合物，使得邻苯二酚基团中的羟基与硅基底中的羟基形成氢键，以提高由负性光刻胶形成的负性光阻与硅基底之间的粘附力。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种负性光刻胶，其特征在于，含有邻苯二酚基团。
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