[发明专利]一种薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201811466103.1 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN109411355A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 吕明仁 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：提供一基板；在基板上形成一图案化的有源层；在图案化的有源层上形成一栅极介电层；述栅极介电层上形成一图形化的栅极层；在栅极层上形成一层间介电层；向层间介电层植入氢离子，并退火处理，氢离子通过所述层间介电层扩散至有源层，对有源层进行氢化处理。本发明优点是，在利用层间介电层及栅极介电层含有的氢离子的同时，再额外提供一外部氢源，使得层间介电层内有充足的氢离子，在退火处理中，扩散至有源层的氢离子数量足够多，氢离子进入薄膜晶体管的沟道中填补多晶硅原子未结合键或未饱和键，填补沟道中的缺陷，进而能够修补有源层的缺陷，减少不稳态数目，提升迁移率及阈值电压均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 氢离子 源层 层间介电层 薄膜晶体管 栅极介电层 退火处理 图案化 栅极层 沟道 基板 制备 阈值电压均匀性 扩散 填补 额外提供 氢化处理 未饱和键 不稳态 多晶硅 迁移率 图形化 氢源 植入 修补 外部 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基板；在所述基板上形成一图案化的有源层；在所述图案化的有源层上形成一栅极介电层；在所述栅极介电层上形成一图形化的栅极层；在所述栅极层上形成一层间介电层；向所述层间介电层植入氢离子，并退火处理，所述氢离子通过所述层间介电层扩散至所述有源层，对所述有源层进行氢化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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