[发明专利]施密特触发反相器电路有效
| 申请号： | 201811466959.9 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN110061723B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 齐藤功 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H03K3/3565 | 分类号： | H03K3/3565 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种施密特触发反相器电路，抑制施密特触发反相器电路中的贯通电流的产生。施密特触发反相器电路(SINVa)具备：CMOS反相器(CI)，其输入及输出分别与所述施密特触发反相器电路的输入及输出连接；第一晶体管(MN3)，其栅极与所述CMOS反相器的输出连接；以及第一限流元件(DEP1)，其与所述第一晶体管串联连接。 | ||
| 搜索关键词： | 施密特 触发 反相器 电路 | ||
【主权项】：
1.一种施密特触发反相器电路，具备：CMOS反相器，其输入及输出分别与所述施密特触发反相器电路的输入及输出连接；第一晶体管，其栅极与所述CMOS反相器的输出连接；以及第一限流元件，其与所述第一晶体管串联连接。
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