[发明专利]MEMS设备前端电荷放大器及相关方法有效
| 申请号： | 201811467266.1 | 申请日： | 2013-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN110120787B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 约恩·奥普里斯;H·陶;S·李 | 申请（专利权）人： | 上海矽睿科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30;H03F3/45 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 200000 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请涉及MEMS设备前端电荷放大器及相关方法。除了其他方面以外，本申请讨论了用于前端电荷放大器的装置和方法。在某些示例中，一种用于MEMS设备的前端电荷放大器可包括电荷放大器和反馈电路，该电荷放大器配置成连接到所述MEMS设备并提供所述MEMS设备的检测质量块的感测信息，该反馈电路配置成接收所述感测信息并向所述电荷放大器的输入端提供反馈，其中所述电荷放大器包括传递函数，该传递函数具有在第一频率处的第一极点、在第二频率处的第二极点和在第三频率处的一个零点。 | ||
| 搜索关键词： | mems 设备 前端 电荷 放大器 相关 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：电荷放大器，配置成连接到微机电系统MEMS设备(101)并提供该MEMS设备(101)的检测质量块(102)的感测信息；以及反馈电路，配置成接收所述感测信息，并向所述电荷放大器的输入端提供反馈；以及其中所述电荷放大器包括传递函数，该传递函数具有在第一频率处的第一极点、在第二频率处的第二极点和在第三频率处的一个零点；其中，所述反馈电路包括：电流衰减器(318)，该电流衰减器(318)连接到所述电荷放大器的所述输入端；以及跨导器(317)，该跨导器(317)连接到所述电流衰减器和所述电荷放大器的输出端，其中该跨导器(317)配置成提供代表所述感测信息的电流信号。
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