[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。本发明的TFT基板的制作方法，采用第一栅极与第二栅极组成双栅极结构，并利用氮化硅层制作蚀刻阻挡层，当沉积形成该氮化硅层时，其中的氢原子会扩散至有源层中，在有源层中形成掺杂，氢原子作为供体提供大量电子，使得低阻抗沟道区的电子迁移率增加，阻抗进一步降低，从而在原有沟道区形成TFT沟道串联结构，降低了两侧沟道阻抗，等效缩短了沟道长度，提高了电子迁移率，降低功耗，在无需改变黄光制程设备的情况下，通过离子扩散掺杂，实现了双TFT结构，节约成本，实际使用中可有效节约空间，优化空间布局。

主权项

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成相间隔的第一栅极(21)和第二栅极(22)，在所述第一栅极(21)、第二栅极(22)及衬底基板(10)上沉积形成栅极绝缘层(30)，在所述栅极绝缘层(30)上沉积并图案化形成对应于所述第一栅极(21)和第二栅极(22)上方的有源层(40)；步骤S2、在所述有源层(40)与栅极绝缘层(30)上沉积形成蚀刻阻挡层(50)，所述蚀刻阻挡层(50)包括氮化硅层(51)，当沉积所述蚀刻阻挡层(50)的氮化硅层(51)时，该氮化硅层(51)中的氢原子会扩散至所述有源层(40)中，从而降低所述有源层(40)的阻抗；步骤S3、在所述蚀刻阻挡层(50)上沉积并图案化形成源极(61)和漏极(62)。