[发明专利]一种紫外LED外延结构及其生长方法在审
| 申请号： | 201811468293.0 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN109585622A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 何苗;丛海云;黄仕华;熊德平 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 510060 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种紫外LED外延结构，包括衬底；位于所述衬底第一侧的缓冲层；位于所述缓冲层背离所述衬底一侧的未掺杂的GaN层；位于所述未掺杂的GaN层背离所述缓冲层一侧的N型GaN层；位于所述N型GaN层背离所述未掺杂的GaN层一侧的多量子阱结构层；位于所述多量子阱结构层背离所述N型GaN层一侧的Al组分变化的电子阻挡层；位于所述Al组分变化的电子阻挡层背离所述多量子阱结构层一侧的P型GaN层。本申请中阻挡层为Al组分变化的电子阻挡层，抑制极化电场带来的量子限制斯达克效应，减少电子从多量子阱结构层隧穿至P型GaN层，从而提高内量子效率。本申请还提供一种具有上述优点的紫外LED外延结构生长方法。 | ||
| 搜索关键词： | 多量子阱结构层 背离 电子阻挡层 外延结构 组分变化 紫外LED 缓冲层 未掺杂 衬底 申请 内量子效率 极化电场 量子限制 生长 阻挡层 隧穿 | ||
【主权项】：
1.一种紫外LED外延结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底第一侧的缓冲层；位于所述缓冲层背离所述衬底一侧的未掺杂的GaN层；位于所述未掺杂的GaN层背离所述缓冲层一侧的N型GaN层；位于所述N型GaN层背离所述未掺杂的GaN层一侧的多量子阱结构层；位于所述多量子阱结构层背离所述N型GaN层一侧的Al组分变化的电子阻挡层；位于所述Al组分变化的电子阻挡层背离所述多量子阱结构层一侧的P型GaN层。
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