[发明专利]场致发射电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201811468465.4 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN109585238B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 张道书;陈明;洪序达;冯叶;钟国华;李文杰;杨春雷 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;黄进 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场致发射电极，包括基底以及形成在基底上的金属电极层，所述金属电极层上设置有呈阵列排布的多个铟柱，每一铟柱的顶面设置有多条纳米线。其制备方法包括步骤：S10、提供基底并基底上沉积形成金属电极层；S20、在金属电极层上制备形成具有孔洞阵列的光刻胶掩膜板；S30、在光刻胶掩膜板上沉积铟材料然后剥离光刻胶掩膜板，获得呈阵列排布的多个铟柱；S40、将制备形成铟柱后的基底置于反应炉中，在每一铟柱的顶面上生长形成多条纳米线。本发明中的场致发射电极具有优异的场发射性能，其制备工艺简单，纳米线的生长可以在低温低压的条件下进行，生长条件简单温和、易于控制，能够有效地提高产品的品质并降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场致发射电极，其特征在于，所述场致发射电极包括基底以及形成在所述基底上的金属电极层，所述金属电极层上设置有呈阵列排布的多个铟柱，每一所述铟柱的顶面设置有多条纳米线。
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