[发明专利]基板处理方法和基板处理装置有效
申请号: | 201811469611.5 | 申请日: | 2018-11-28 |
公开(公告)号: | CN109904093B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 吉田幸史;髙桥弘明;尾辻正幸;奥谷学;前田主悦;阿部博史;安田周一;金松泰范 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供从基板的上表面良好去除颗粒且使上表面良好干燥的基板处理方法和装置。该基板处理方法包括:第一处理液供给工序,向基板的上表面供给第一处理液;保持层形成工序,使所述第一处理液固化或硬化,在所述基板的上表面形成颗粒保持层;保持层去除工序,将所述颗粒保持层从基板的上表面剥离并去除;液膜形成工序,将所述颗粒保持层从所述基板上去除之后,形成第二处理液的液膜;固化工序,将所述液膜冷却至所述升华性物质的融点以下的温度,使所述液膜在所述基板上固化来形成固体膜;升华工序,使所述固体膜升华来从基板上去除。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理方法,包括:基板保持工序,将基板保持为水平;第一处理液供给工序,向所述基板的上表面供给含有溶质和具有挥发性的溶剂的第一处理液;保持层形成工序,向所述基板的下表面供给第一热介质,经由所述基板加热所述基板上的所述第一处理液,使所述溶剂的至少一部分挥发,由此使所述第一处理液固化或硬化,在所述基板的上表面形成颗粒保持层;保持层去除工序,通过向所述基板的上表面供给剥离所述颗粒保持层的剥离液,将所述颗粒保持层从所述基板的上表面剥离并去除;液膜形成工序,将所述颗粒保持层从所述基板上去除之后,通过向所述基板的上表面供给含有升华性物质的第二处理液,形成覆盖所述基板的上表面的所述第二处理液的液膜;固化工序,向所述基板的下表面供给第二热介质,经由所述基板将所述液膜冷却至所述升华性物质的融点以下的温度,由此使所述液膜在所述基板上固化来形成固体膜;升华工序,使所述固体膜升华来从所述基板上去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造