[发明专利]具有高介电常数薄膜的柔性基板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201811470216.9 申请日: 2018-12-04
公开(公告)号: CN109638081B 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 金鹏 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/49;H01L29/423;H01L21/336
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 一种具有高介电常数薄膜的柔性基板及其制作方法,其中一种具有高介电常数薄膜的柔性基板的制作方法包括以下步骤:提供一柔性基板;在所述柔性基板上形成一多晶硅层;在所述多晶硅层上涂布一HfAlOx溶液,所述HfAlOx溶液通过烘烤退火制程形成一HfAlOx绝缘层;在所述HfAlOx绝缘层上形成一金属栅极;以及对所述多晶硅层上进行参杂、活化,以形成一源极和漏极,其中,所述金属栅极和所述源极和漏极之间以所述HfAlOx绝缘层间隔。借此,降低所述柔性基板的漏电流、减小阈值电压和柔性基板及其显示面板的功耗。
搜索关键词: 具有 介电常数 薄膜 柔性 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种具有高介电常数薄膜的柔性基板,包括:柔性基板;多晶硅层设置于所述柔性基板上;HfAlOx绝缘层,所述HfAlOx绝缘层由HfAlOx溶液经过烘烤而设置于所述多晶硅层上;金属栅极设置于所述HfAlOx绝缘层上;以及源极和漏极设置于所述多晶硅层上,其中,所述金属栅极和所述源极和漏极之间以与所述HfAlOx绝缘层间隔。
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