[发明专利]一种二维电子气输运性能的调控方法有效
| 申请号： | 201811471091.1 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109559993B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 陈明敬;宁兴坤;刘鹏;赵国庆;王江龙;王淑芳;傅广生 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | H01L21/42 | 分类号： | H01L21/42;H01L29/66 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人： | 苏艳肃 |
| 地址： | 071002 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种二维电子气输运性能的调控方法，包括如下步骤：（a）对SrTiO |
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| 搜索关键词： | 一种 二维 电子 输运 性能 调控 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二维电子气输运性能的调控方法，其特征在于，包括如下步骤：（a）对SrTiO3基板进行表面台阶处理，获得具有TiO2表面台阶的基板；（b）采用脉冲激光法在步骤（a）所得的基板上沉积超薄La0.7Sr0.3MnO3薄膜；（c）采用脉冲激光法在步骤（b）所得的La0.7Sr0.3MnO3/SrTiO3上沉积LaAlO3薄膜，得到LaAlO3/La0.7Sr0.3MnO3/SrTiO3二维电子气异质结；（d）用光照射所述LaAlO3/La0.7Sr0.3MnO3/SrTiO3二维电子气异质结，以调控其二维电子气输运性能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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