[发明专利]一种低维氯化钙钛矿薄膜及太阳能电池制备方法

摘要

本发明涉及一种基于低维氯化钙钛矿薄膜及太阳能电池制备方法，属于光电材料与器件领域。该发明对低维钙钛矿前驱体原料中的卤化有甲胺的卤素进行替换，将氯引入到低维钙钛矿中，在沉积有空穴传输层的ITO玻璃基底上进行简单的一步旋涂，制备出比常见的纯碘化低维钙钛矿更平整且高质量的低维氯化钙钛矿薄膜，经过退火处理后，得到的薄膜相较于低维纯碘化钙钛矿薄膜，表面更加平整致密。利用上述薄膜所制备的低维氯化钙钛矿太阳能电池具有较高的光电转化效率和良好的器件稳定性。

主权项

1.一种低维氯化钙钛矿薄膜及太阳能电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)分别将a.碘化铅、苯乙胺的氯盐和氯甲胺I‑Cl‑Cl以及；b.碘化铅、苯乙胺的碘盐和氯甲胺I‑I‑Cl；c.碘化铅、苯乙胺的氯盐和碘甲胺I‑Cl‑I按低维钙钛矿配制的化学计量比n:2:n‑1,n为低维钙钛矿的层数，溶于DMF中配置成低维氯化钙钛矿I‑Cl‑Cl、I‑I‑Cl或I‑Cl‑I前驱液，在30‑120℃下搅拌3‑5小时；(2)在清洗并且处理过的ITO透明导电玻璃上旋涂沉积空穴传输材料；(3)在沉积有空穴传输层的ITO基底上，利用一步旋涂法沉积低维氯化钙钛矿薄膜，经过退火处理后得到平整致密的低维氯化钙钛矿薄膜；(4)在此钙钛矿薄膜上旋涂沉积电子传输层；(5)在电子传输层上接着真空热蒸镀界面修饰层和金属电极。