[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811471453.7 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN111261720A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 陈兆同;何昌;史波;曾丹 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 吴黎 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，该半导体器件包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型体区，设置在半导体层中，体区的上表面高于半导体层的上表面；第一导电类型注入区和第二导电类型注入区，相邻设置在体区中；栅极绝缘层，设置在体区上且至少部分覆盖第一导电类型注入区；栅极，设置在栅极绝缘层上。上述半导体器件，设置在第一导电类型半导体层中的第二导电类型体区的上表面高于半导体层的上表面，这样在半导体器件耐压时，承受高电场强度的氧化层不再是有效的器件栅氧，沟道处会受到体区的电场屏蔽的保护，对内部栅氧也起到一定电场屏蔽作用，提升了栅极绝缘层的可靠性，进而提高了半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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