[发明专利]一种半导体器件用金铍合金材料及制备方法有效

专利信息
申请号: 201811471664.0 申请日: 2018-12-04
公开(公告)号: CN109536770B 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 张巧霞;郭姗姗;万小勇;薛宏宇;陈明;张晓娜;庞欣;贺昕;王绍帅 申请(专利权)人: 有研亿金新材料有限公司
主分类号: C22C5/02 分类号: C22C5/02;C22C1/02;C22F1/14
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 张文宝
地址: 102200*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种半导体器件用金铍合金材料及制备方法,该方法包括如下步骤:1)以金、铍金属为原料,在真空感应熔炼炉上,先将金完全熔化之后,再添加金属铍,熔炼铸造获得金铍合金铸锭;其中,合金铸锭中铍含量为合金名义成分0.5~2wt.%再多配一定比例,余量为金;2)利用加热炉对步骤1获得的合金铸锭进行热处理;3)利用塑性加工设备将铸锭沿厚度方向进行热塑性加工;4)每完成1~2道次加工将坯料于加热炉进行回火热处理;5)重复步骤3)和4),直到所需的板材厚度尺寸;6)采用冲压模具,加工成所需金铍合金材料。通过本方法得到的金铍合金材料成分均匀,合金稳定,形状规则,可满足半导体器件欧姆接触电极的性能要求。
搜索关键词: 一种 半导体器件 用金铍 合金材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件用金铍合金材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)以金、铍金属为原料,按照合金名义成分Be 0.5~2wt.%再多配一定比例的金属铍,余料为金;金的纯度不低于4N,铍的纯度不低于3N;将金属铍用一部分金薄片包裹,其余金料放于石墨坩埚中;(2)抽真空至真空度达到×10‑1~×10‑2Pa之后,向熔炼炉中充入氩气,至0.03~0.08MPa;(3)感应加热使石墨坩埚中的金熔化;(4)金完全熔化后,使金片及其包裹的金属铍一同加入至坩埚内的金熔液中;(5)继续升温进行精炼,使得铍熔化,同时与金充分混合;(6)精炼后降低温度,进行浇注,获得金铍合金铸锭;(7)利用加热炉对步骤(6)获得的合金铸锭进行热处理;(8)将金铍合金铸锭进行多道次热轧加工,实现厚度减薄;(9)每完成1~2道次加工将坯料于加热炉进行回火热处理;(10)重复(8)、(9)步骤,直至达到所需厚度尺寸的板材;(11)将步骤(10)所得板材,加工成规则颗粒形状。
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