[发明专利]基于无层错(20-21)面GaN基板制备发光器件的方法及其发光器件在审
| 申请号： | 201811472335.8 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109390442A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 陈辰;宋杰;崔周源 | 申请（专利权）人： | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11554 | 代理人： | 黄剑飞 |
| 地址： | 710003 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本公开提供一种基于无层错(2021)面GaN基板制备发光器件的方法，其中包括：在氮气载气环境中在蓝宝石衬底上外延生长无层错半极性面(2021)GaN基板；在氮气载气环境中在无层错的半极性面(2021)GaN基板上外延生长掺杂Si的N型GaN层；在氮气载气环境中在N型GaN层上周期性地交替生长InGaN量子阱和GaN量子垒从而构成单量子阱层或多量子阱层的有源层；以及在氮气载气环境中生长掺杂Mg的P型GaN层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮气 载气 制备发光器件 半极性面 外延生长 掺杂 多量子阱层 蓝宝石 单量子阱 发光器件 交替生长 量子垒 量子阱 衬底 源层 生长 | ||
【主权项】：
1.一种基于无层错(2021)面GaN基板制备发光器件的方法，其中包括：在氢气或氮气载气环境中在蓝宝石衬底上外延生长无层错半极性面(2021)GaN基板；在氮气载气环境中在无层错的半极性面(2021)GaN基板上外延生长掺杂Si的N型GaN层；在氮气载气环境中在N型GaN层上周期性地交替生长InGaN量子阱和GaN量子垒从而构成单量子阱层或多量子阱层的有源层；以及在氮气载气环境中生长掺杂Mg的P型GaN层。
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