[发明专利]具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层及其制造方法在审
| 申请号： | 201811472366.3 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109378369A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陈辰;宋杰;崔周源 | 申请（专利权）人： | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/16;H01L33/18;H01L33/32;H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11554 | 代理人： | 黄剑飞 |
| 地址： | 710003 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种用于在衬底上形成具有(2021)取向的半极性氮化镓的外延层的方法，包括：在PSS的晶体生长表面生长平行于所述衬底的加工表面的具有(2021)取向的第一半极性氮化镓外延层；在第一半极性氮化镓外延层的表面采用氢化物气相外延(HVPE)方法生长具有(2021)取向的厚度不小于0.1mm的第二半极性氮化镓外延层；整体剥离所述第一半极性氮化镓外延层和第二半极性氮化镓外延层；以及通过化学‑机械抛光法(CMP)对所剥离下来的所述第一半极性氮化镓外延层的面向图案化蓝宝石衬底的表面进行平坦化处理，从而获得具有(2021)取向表面的半极性氮化镓外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 半极性 氮化镓外延层 衬底 取向 氮化镓 外延层 剥离 氢化物气相外延 晶体生长表面 平坦化处理 机械抛光 加工表面 取向表面 蓝宝石 图案化 生长 平行 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于在衬底上形成具有(2021)取向的半极性氮化镓的外延层的方法，所述方法包括：邻靠图案化蓝宝石衬底的晶体生长表面生长具有(2021)取向的第一半极性氮化镓外延层，所述第一半极性氮化镓外延层平行于所述衬底的加工表面；在第一半极性氮化镓外延层的表面采用氢化物气相外延(HVPE)方法生长具有(2021)取向的第二半极性氮化镓外延层，所述第二半极性氮化镓外延层厚度不小于0.1mm；从图案化蓝宝石衬底上整体剥离所述第一半极性氮化镓外延层和第二半极性氮化镓外延层；以及通过化学‑机械抛光法(CMP)对所剥离下来的所述第一半极性氮化镓外延层的面向图案化蓝宝石衬底的表面进行平坦化处理，从而获得具有(2021)取向表面的半极性氮化镓外延层。
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