[发明专利]半导体构件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811472393.0 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109360875A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 陈辰;宋杰;崔周源 | 申请（专利权）人： | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11554 | 代理人： | 黄剑飞 |
| 地址： | 710003 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种在PSS衬底上沿半极性面外延生长GaN基片的方法，包括：在PSS衬底上沿着半极性面外延生长具有第一厚度的第一GaN半导体层；通过化学刻蚀方法对第一GaN半导体层表面进行刻蚀，从而在第一GaN半导体层的穿透位错处形成空腔，并且所述空腔的深度小于第一厚度；以及在第一GaN半导体层表面上外延生长GaN，GaN在第一GaN半导体层内的空腔的侧壁上侧向生长从而在第一GaN半导体层内的形成封闭空腔，从而在第一GaN半导体层表面上外延生长出具有第二厚度的第二GaN半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 外延生长 空腔 半极性面 衬底 半导体构件 侧向生长 封闭空腔 化学刻蚀 侧壁 刻蚀 穿透 制造 | ||
【主权项】：
1.一种在PSS衬底上沿半极性面外延生长GaN基片的方法，包括：在PSS衬底上沿着半极性面外延生长具有第一厚度的第一GaN半导体层；通过化学刻蚀方法对第一GaN半导体层表面进行刻蚀，从而在第一GaN半导体层的穿透位错处形成空腔，并且所述空腔的深度小于第一厚度；以及在第一GaN半导体层表面上外延生长GaN，GaN在第一GaN半导体层内的空腔的侧壁上侧向生长从而在第一GaN半导体层内的形成封闭空腔，从而在第一GaN半导体层表面上外延生长出具有第二厚度的第二GaN半导体层。
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