[发明专利]一种去除硅片边缘氧化膜的装置及方法有效
申请号: | 201811472936.9 | 申请日: | 2018-12-04 |
公开(公告)号: | CN109360801B | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 索开南;杨洪星;张伟才;庞炳远;王雄龙;杨静;徐聪;何远东;陈晨 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人: | 王凤英 |
地址: | 300220*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: |
本发明公开了一种去除硅片边缘氧化膜的装置及方法。该装置采用卧式结构,由上下两部分组成去边圆盘,通过卡槽固定;内部中空,填充吸水海绵吸收HF溶液;去边圆盘有凹槽,凹槽处有用于渗出HF溶液的通孔,凹槽外缠有摩擦布吸附HF溶液,通过去边圆盘外凹槽上缠有摩擦布与硅片边缘接触,使SiO |
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搜索关键词: | 一种 去除 硅片 边缘 氧化 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种去除硅片边缘氧化膜的装置,其特征在于,所述装置为卧式结构,包括由上下两部分组成的去边圆盘(1)和用于放置硅片(9)的真空吸盘(10),上圆盘(1.1)的圆周设有凸台,下圆盘(1.2)的圆周设有凹槽,上圆盘(1.1)的凸台嵌入到下圆盘(1.2)的凹槽里,构成整体的去边圆盘(1);下圆盘(1.2)的圆周另外还设有凹槽,该凹槽深处弧面上分布着一圈渗液通孔(7),组装后的去边圆盘(1)中部形成整体凹槽(3),整体凹槽(3)外部缠有摩擦布(4),缠有摩擦布(4)的整体凹槽(3)与放置在真空吸盘(10)上的硅片(9)在同一水平面上;上圆盘(1.1)的上表面中心位置留有补液孔(2),该补液孔内插管道与补给用HF封闭容器连接;下圆盘(1.2)的底部封闭,组装后的去边圆盘(1)内部为中空结构,中空部分填充吸水海绵(8),用来吸收与SiO2膜进行反应的HF溶液;去边圆盘(1)粘接固定在固定架(5)上,固定架(5)与旋转轴(6)连接固定,旋转轴(6)连接步进电机;所述的真空吸盘(10)通过固定在底部的移动旋转轴(11)与控制系统连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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