[发明专利]一种去除硅片边缘氧化膜的装置及方法有效

专利信息
申请号: 201811472936.9 申请日: 2018-12-04
公开(公告)号: CN109360801B 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 索开南;杨洪星;张伟才;庞炳远;王雄龙;杨静;徐聪;何远东;陈晨 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/02
代理公司: 天津中环专利商标代理有限公司 12105 代理人: 王凤英
地址: 300220*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种去除硅片边缘氧化膜的装置及方法。该装置采用卧式结构,由上下两部分组成去边圆盘,通过卡槽固定;内部中空,填充吸水海绵吸收HF溶液;去边圆盘有凹槽,凹槽处有用于渗出HF溶液的通孔,凹槽外缠有摩擦布吸附HF溶液,通过去边圆盘外凹槽上缠有摩擦布与硅片边缘接触,使SiO2与HF发生化学反应,达到去除硅片边缘SiO2背封膜的目的。本发明的优点在于既不需要手工贴膜,又没有蒸汽去除的失败风险,还可以有效解决边缘不整齐,去除不彻底等问题,因此具有节省腐蚀原材料,风险低,操作简便,且安全可靠等特点。并配合补液系统的设计,实现了对腐蚀液的精准控制。从而提高了产品合格率,进而提高了生产效率。
搜索关键词: 一种 去除 硅片 边缘 氧化 装置 方法
【主权项】:
1.一种去除硅片边缘氧化膜的装置,其特征在于,所述装置为卧式结构,包括由上下两部分组成的去边圆盘(1)和用于放置硅片(9)的真空吸盘(10),上圆盘(1.1)的圆周设有凸台,下圆盘(1.2)的圆周设有凹槽,上圆盘(1.1)的凸台嵌入到下圆盘(1.2)的凹槽里,构成整体的去边圆盘(1);下圆盘(1.2)的圆周另外还设有凹槽,该凹槽深处弧面上分布着一圈渗液通孔(7),组装后的去边圆盘(1)中部形成整体凹槽(3),整体凹槽(3)外部缠有摩擦布(4),缠有摩擦布(4)的整体凹槽(3)与放置在真空吸盘(10)上的硅片(9)在同一水平面上;上圆盘(1.1)的上表面中心位置留有补液孔(2),该补液孔内插管道与补给用HF封闭容器连接;下圆盘(1.2)的底部封闭,组装后的去边圆盘(1)内部为中空结构,中空部分填充吸水海绵(8),用来吸收与SiO2膜进行反应的HF溶液;去边圆盘(1)粘接固定在固定架(5)上,固定架(5)与旋转轴(6)连接固定,旋转轴(6)连接步进电机;所述的真空吸盘(10)通过固定在底部的移动旋转轴(11)与控制系统连接。
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