[发明专利]一种长波红外探测器及其制作方法有效
申请号: | 201811472975.9 | 申请日: | 2018-12-04 |
公开(公告)号: | CN109494277B | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 蔡志鹏;任亚杰;黄文登;姚军财;何军锋 | 申请(专利权)人: | 陕西理工大学 |
主分类号: | H01L31/108 | 分类号: | H01L31/108;H01L31/0352;H01L31/20 |
代理公司: | 陕西铭源专利代理事务所(普通合伙) 61235 | 代理人: | 杨悦 |
地址: | 723000 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种长波红外探测器,其组成包括:衬底、外延薄膜和横向导电电极,所述的衬底上方为外延薄膜,所述的外延薄膜上形成掺杂区域,所述的掺杂区域形成纵向量子阱阵列,所述的纵向量子阱阵列上设置有一对横向导电电极,所述的横向导电电极之间通过导线连接电流表和电池。该装置将MSM探测器的快响特点与量子阱的长波红外响应特点结合起来,当量子阱深度足够大时能够对信号光充分吸收,且无须复杂的光耦合结构工艺,极大地简化了工艺流程,减少了制作难度,增加了光响应效率,由于采用离子注入掺杂工艺形成量子阱结构,因此衬底选择范围广,同时外延结构生长工艺和制作工艺简单,易于集成。 | ||
搜索关键词: | 一种 长波 红外探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种长波红外探测器,其组成包括:衬底(1)、外延薄膜(2)和横向导电电极(3),其特征是:所述的衬底(1)上方为外延薄膜(2),所述的外延薄膜(2)上形成掺杂区域,所述的掺杂区域形成纵向量子阱阵列(4),所述的纵向量子阱阵列(4)上设置有一对横向导电电极(3),所述的横向导电电极(3)之间通过导线连接电流表(5)和电池(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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