[发明专利]一种基于锑化铟条带微结构太赫兹调制器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811473033.2 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109581700B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 何晓勇;石陈煜燚;张浩;刘峰;林方婷;肖桂娜 | 申请（专利权）人： | 上海师范大学 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200234 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于锑化铟(InSb)条带微结构太赫兹调制器及其制备方法，调制器包括Si衬底，生长在Si衬底上的绝缘层，生长在绝缘层上的基于锑化铟的条带型微结构层，该条带型微结构层为铜‑锑化铟混合条带型微结构或锑化铟‑锑化铟混合条带型微结构。InSb混合条带微结构中明态模式和暗态模式相互干涉形成Fano共振；其共振峰的频率和振幅可以通过使用不同掺杂浓度的锑化铟或者改变外界温度的等方法进行灵活调节。本发明的太赫兹锑化铟混合条带型微结构调制器可实现对入射太赫兹波的有效调制，实现品质因子高于20的Fano共振透射峰，其峰值最高可以达到0.97，调制深度大于80％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 锑化铟 条带 微结构 赫兹 调制器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于锑化铟条带微结构太赫兹调制器，其特征在于，该调制器包括：Si衬底，生长在Si衬底上的绝缘层，生长在绝缘层上的基于锑化铟的条带型微结构层，该条带型微结构层为铜‑锑化铟混合条带型微结构或锑化铟‑锑化铟混合条带型微结构。
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