[发明专利]具有掠过栅极的集成电路图像传感器单元

摘要

本公开涉及具有掠过栅极的集成电路图像传感器单元。一种成像单元，包括耦合在光敏电荷节点和中间节点之间的掠过栅极晶体管，以及耦合在中间节点和感测节点之间的传输栅极晶体管。掠过栅极晶体管包括垂直栅极电极结构，该垂直栅极电极结构由延伸到衬底中的第一电容性深沟槽隔离和延伸到衬底中的第二电容性深沟槽隔离形成。掠过栅极晶体管的沟道位于第一和第二电容性深沟槽隔离之间。每个电容性深沟槽隔离由沟槽形成，该沟槽衬有绝缘衬垫并填充有导电或半导电材料。

主权项

1.一种成像单元，包括：掠过栅极晶体管，耦合在光敏电荷节点和中间节点之间；和传输栅极晶体管，耦合在所述中间节点和感测节点之间；其中所述掠过栅极晶体管包括垂直栅极电极结构，所述垂直栅极电极结构包括：延伸到衬底中的第一电容性深沟槽隔离；和延伸到所述衬底中的第二电容性深沟槽隔离；其中所述掠过栅极晶体管的沟道位于所述第一电容性深沟槽隔离和所述第二电容性深沟槽隔离之间；并且其中每个电容性深沟槽隔离包括衬有绝缘衬垫并填充有导电或半导电材料的沟槽。