[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811474149.8 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109585538A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 周章渝;张青竹;闫江;许庆;李志华;李彬;余金中;唐波;王文武;谢玲;张鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵秀芹;王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件及其制造方法。在该半导体器件中，背栅仅位于栅电极接触层局域区域之上。也就是说，该背栅为局部背栅，该局部背栅仅位于源漏极之间的区域，如此，该局部背栅结构克服了传统全局背栅不能分别独立控制的缺陷，有利于半导体器件的集成度，另外，采用该局部背栅采用重掺杂或采用金属，所以该的半导体器件的驱动性能也较好。 | ||
| 搜索关键词： | 背栅 半导体器件 栅电极接触 背栅结构 独立控制 驱动性能 集成度 域区域 源漏极 重掺杂 制造 金属 全局 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底之上的栅电极接触层；位于所述栅电极接触层局部区域之上的背栅；位于所述背栅周围且位于除所述栅电极接触层局部区域以外的区域上方的隔离层；位于所述背栅以及所述隔离层之上的栅介质层；位于所述栅介质层之上的二维半导体材料层；位于所述二维半导体材料层之上且与所述二维半导体材料层电接触的源极和漏极；所述源极和漏极分别位于所述背栅的两侧。
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