[发明专利]一种单一晶体取向的NiO薄膜的可控制备方法有效
| 申请号： | 201811474163.8 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109371376B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 张跃;时明月;康卓;司浩楠 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明供了一种单一晶体取向的NiO薄膜的可控制备方法，涉及半导体光电子材料制备技术领域，能够实现对NiO薄膜晶体取向的控制，制备出单一晶体取向的NiO薄膜；该方法采用磁控溅射的方法制备NiO薄膜，其特征在于，在溅射过程中调节溅射气氛、溅射功率、气氛压强、气体流量、基底温度和/或退火温度来实现单一晶体取向的NiO薄膜的制备。本发明供的技术方案适用于单一晶体取向的NiO薄膜的制备过程中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单一 晶体 取向 nio 薄膜 可控 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单一晶体取向的NiO薄膜的可控制备方法，采用磁控溅射的方法制备NiO薄膜，其特征在于，通过调节溅射过程中的溅射气氛、溅射功率、气氛压强、气体流量、基底温度和/或退火温度来实现单一晶体取向的NiO薄膜的制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学，未经北京科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811474163.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
