[发明专利]一种基于阵元特征模式的阵列天线电性能分析方法在审
| 申请号： | 201811474242.9 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109670140A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 娄顺喜;王伟;钱思浩;葛潮流;段宝岩 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F17/11 | 分类号： | G06F17/11;G06F17/16;G06F17/50 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 姚咏华 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于阵元特征模式的阵列天线电性能分析方法，包括阵元辐射模式的确定；阵元在阵中环境下的模式激励系数的计算；阵列天线远场方向图的计算；阵列天线激励端口网络参数求解。本发明严格考虑了阵元间的互耦效应，可精确分析阵列天线电性能。所提方法可用于揭示阵元间的互耦效应本质，对于阵列天线的分析与设计具有重要工程意义。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列天线 阵元 电性能 特征模式 互耦 分析 远场方向图 端口网络 辐射模式 模式激励 重要工程 可用 求解 | ||
【主权项】：
1.一种基于阵元特征模式的阵列天线电性能分析方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)根据阵元几何参数确定其特征模式信息；(2)根据阵列天线几何参数及激励分布，构建耦合平衡方程，求解获得阵元在阵列环境中的模式激励系数；(3)确定每一阵元在考虑互耦效应下的模式权重系数，进而根据所获模式权重系数和阵元模式电场确定阵列远区电场方向图；(4)计算获得阵列激励端口网络参数，包括阻抗及散射参数。
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