[发明专利]具有高效边缘结构的半导体器件的制造方法

摘要

本公开涉及具有高效边缘结构的半导体器件的制造方法。一种电子器件的制造方法包括：形成N型的漂移层；在漂移层中形成沟槽；通过注入P型的掺杂剂物种，在沟槽旁边形成边缘终止结构；以及通过挖掘漂移层，在沟槽与边缘终止结构之间形成凹陷区域。形成凹陷区域和沟槽的步骤同时执行。形成凹陷区域的步骤包括将漂移层图案化，以与边缘终止结构形成具有第一斜率的结构连接，并且形成沟槽的步骤包括蚀刻漂移层，以限定沟槽的侧壁，该侧壁具有比第一斜率更陡的第二斜率。

主权项

1.一种电子器件的制造方法，包括：形成具有顶表面和第一导电性的漂移层；通过从所述顶表面开始蚀刻所述漂移层，在所述漂移层中形成沟槽；通过注入掺杂剂物种，相对于所述沟槽侧向地形成边缘终止结构，所述掺杂剂物种具有与所述第一导电性不同的第二导电性；以及通过从所述顶表面开始蚀刻所述漂移层，在所述沟槽与所述边缘终止结构之间形成凹陷区域，其中：形成所述凹陷区域和形成所述沟槽同时被执行，形成所述凹陷区域包括将所述漂移层图案化为具有第一斜率，以及形成所述沟槽包括蚀刻所述漂移层以限定所述沟槽的侧壁，所述侧壁具有比所述第一斜率更陡的第二斜率。