[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201811474967.8 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109585484A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 周艮梅;金子貴昭;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；金属层间介质层，位于所述半导体衬底的正面，所述金属层间介质层内形成有金属互连结构；反射金属层，位于所述金属层间介质层的表面；滤镜结构，位于所述半导体衬底的背面；其中，所述反射金属层的反射面朝向所述光电二极管，用于将入射至所述反射面的光线反射回光电二极管。本发明方案可以提高光线的吸收量，增加图像传感器的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 衬底 金属层间介质层 光电二极管 半导体 反射金属层 金属互连结构 光线反射 反射面 灵敏度 吸收量 滤镜 入射 反射 背面 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；金属层间介质层，位于所述半导体衬底的正面，所述金属层间介质层内形成有金属互连结构；反射金属层，位于所述金属层间介质层的表面；滤镜结构，位于所述半导体衬底的背面；其中，所述反射金属层的反射面朝向所述光电二极管，用于将入射至所述反射面的光线反射回光电二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
