[发明专利]一种用于空气隙同轴硅通孔的宽频带建模方法有效
| 申请号： | 201811475968.4 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109657305B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 李跃进;史阳楠;高成楠;王松松;卢启军 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F30/39 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于空气隙同轴硅通孔的宽频带建模方法，包括如下步骤：获取空气隙同轴硅通孔的基础参数；根据所述基础参数计算等效导纳和等效阻抗；根据所述等效导纳和所述等效阻抗建立等效电路模型；对所述等效电路模型进行验证。本发明实施例在建立等效电路模型的过程中，综合考虑了衬底涡流损耗、电流趋肤效应、MIS寄生电容效应，所建立的模型可以在100MHz‑100GHz频率范围内精确分析TSV信号传输特性并进行优化，可以实际反应出CTSV的传输特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 空气 同轴 硅通孔 宽频 建模 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于空气隙同轴硅通孔的宽频带建模方法，其特征在于，包括如下步骤：获取空气隙同轴硅通孔的基础参数；根据所述基础参数计算等效导纳和等效阻抗；根据所述等效导纳和所述等效阻抗建立等效电路模型；对所述等效电路模型进行验证。
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