[发明专利]浮动结碳化硅结势垒肖特基二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201811476115.2 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109585532A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 吴明晃;廖奇泊;陈本昌 | 申请（专利权）人： | 北京绿能芯创电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 李佳俊;郭国中 |
| 地址： | 101300 北京市顺*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明浮动结碳化硅结势垒肖特基二极管及其制造方法，包括：基底；N‑外延层，N‑外延层设置在基底的一侧；P+离子注入层，P+离子注入层设置在N‑外延层上；N+离子注入层，N+离子注入层设置在P+离子注入层上；介电层，介电层设置在N+离子注入层上；第一金属层，第一金属层设置在N+离子注入层上，第一金属层位于介电层内；防护层，防护层设置在介电层及第一金属层上；其中在P+离子注入层与N+离子注入层内形成PN浮动结。与现有技术相比，本发明具有如下优势：本发明的架构让能阶态单一，可以改善反向漏电大的缺点、优化正向电流能力、效率及均匀性，以提供更大的正向电流(Eas)能力及提高器件长期可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 离子注入层 第一金属层 介电层 浮动结 外延层 碳化硅结势垒肖特基二极管 正向电流 防护层 基底 长期可靠性 反向漏电 均匀性 能阶 制造 架构 优化 | ||
【主权项】：
1.一种浮动结碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于，包括：基底；N‑外延层，N‑外延层设置在基底的一侧；P+离子注入层，P+离子注入层设置在N‑外延层上；N+离子注入层，N+离子注入层设置在P+离子注入层上；介电层，介电层设置在N+离子注入层上；第一金属层，第一金属层设置在N+离子注入层上，第一金属层位于介电层内；防护层，防护层设置在介电层及第一金属层上；其中在P+离子注入层与N+离子注入层内形成PN浮动结。
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