[发明专利]一种气相掺杂区熔硅单晶的制备方法在审
申请号: | 201811476667.3 | 申请日: | 2018-12-04 |
公开(公告)号: | CN111270300A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 王永涛;尚锐刚;刘建涛;李明飞;鲁进军;张建;闫志瑞 | 申请(专利权)人: | 有研半导体材料有限公司 |
主分类号: | C30B13/12 | 分类号: | C30B13/12;C30B29/06 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 刘秀青 |
地址: | 101300 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种气相掺杂区熔硅单晶的制备方法,包括以下步骤:(1)将一次多晶按正常的区熔拉晶工艺拉制成单晶或多晶;(2)将拉制成的单晶或多晶再次磨锥、刻槽、清洗、干燥;(3)将处理后的单晶或多晶装炉,并按目标电阻率设置掺杂流量,并按正常气相掺杂区熔拉晶工艺完成单晶拉制。根据本发明制备气相掺杂区熔硅单晶的方法,通过第一次的拉制,将硅芯内的杂质尽可能均匀的分布在拉制成的整个单晶或多晶内,而不是局限在硅芯内,从而降低因硅芯杂质搅拌不均匀造成的气相掺杂区熔硅单晶中心电阻率的波动,有效降低了单晶轴向及径向的电阻率不均匀性,提高了气相掺杂区熔单晶的目标电阻率命中率及稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺杂 区熔硅单晶 制备 方法 | ||
【主权项】:
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