[发明专利]一种扩大层间距微晶石墨材料及其制备方法和在钠离子电池中的应用有效

专利信息
申请号: 201811476835.9 申请日: 2018-12-05
公开(公告)号: CN109592677B 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: 张治安;尹盟;胡均贤;谢杨洋 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: C01B32/205 分类号: C01B32/205;C01B32/215;H01M4/587;H01M10/054
代理公司: 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 代理人: 张伟;魏娟
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种扩大层间距微晶石墨材料及其制备方法和在钠离子电池中的应用,扩大层间距微晶石墨材料制备过程为将微晶石墨微粉通过酸液提纯处理,得到纯化微晶石墨;所述纯化微晶石墨进行氧化插层处理,得到氧化微晶石墨;所述氧化微晶石墨通过还原处理,即得比表面积为10~100m2/g;层间距为0.373~0.394nm的扩大层间距微晶石墨材料;该方法原料易得,制备工艺简单,重复性好;制备扩大层间距微晶石墨具有大的层间距、丰富的表面官能团、适中的比表面积、优异的导电性和良好的机械强度等特点,作为钠离子二次电池的负极,具有较高的库伦效率、优异的倍率性能和长循环稳定性能,同时具有高的振实密度和低的成本。
搜索关键词: 一种 扩大 间距 微晶石 材料 及其 制备 方法 钠离子 电池 中的 应用
【主权项】:
1.一种扩大层间距微晶石墨的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:1)将微晶石墨微粉通过酸液提纯处理,得到纯化微晶石墨;2)所述纯化微晶石墨进行氧化插层处理,得到氧化微晶石墨;3)所述氧化微晶石墨通过还原处理,即得。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中南大学,未经中南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811476835.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top