[发明专利]钨填充凹槽结构的方法

摘要

本发明公开了一种钨填充凹槽结构的方法,包括步骤：步骤一、在第一介质层中形成第一凹槽。步骤二、形成第一阻挡层。步骤三、进行第一次钨沉积加化学机械研磨工艺形成第一钨层。步骤四、形成第二介质层。步骤五、形成叠加在第一凹槽的正上方的第二凹槽。步骤六、形成第二阻挡层。步骤七、将第二凹槽的底部表面和第二凹槽的外部表面的所述第二阻挡层去除。步骤八、进行从底部向顶部沉积的第二次钨沉积形成第二钨层。本发明能实现钨的无缝隙填充，提高钨填充凹槽结构的质量。

主权项

1.一种钨填充凹槽结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在第一介质层中形成第一凹槽；步骤二、形成第一阻挡层，所述第一阻挡层形成于所述第一凹槽的底部表面和侧面并延伸到所述第一凹槽外的表面；步骤三、进行第一次钨沉积加化学机械研磨工艺形成第一钨层，所述第一钨层将所述第一凹槽完全填充并和所述第一凹槽的表面相平；步骤四、在形成有所述第一钨层的所述第一介质层表面形成第二介质层；步骤五、在所述第二介质层中形成穿过所述第二介质层的第二凹槽，所述第二凹槽的底部宽度小于所述第一凹槽的顶部宽度，且所述第二凹槽叠加在所述第一凹槽的正上方，所述第二凹槽的底部表面将所述第一钨层的表面露出；步骤六、形成第二阻挡层，所述第二阻挡层形成在所述第二凹槽的侧面和底部表面以及所述第二凹槽外；步骤七、将所述第二凹槽的底部表面和所述第二凹槽的外部表面的所述第二阻挡层去除，所述第二凹槽侧面的所述第二阻挡层保留，仅将位于所述第二凹槽的底部表面的所述第一钨层的表面露出；步骤八、进行第二次钨沉积形成第二钨层，由所述第一钨层和所述第二钨层叠加形成钨金属结构；利用所述第一钨层仅在所述第二凹槽的底部表面露出的特点使所述第二次钨沉积的沉积模式为从底部向顶部沉积，利用从底部向顶部沉积来提升所述第二次钨沉积的填充沟槽的能力，消除填充产生的空隙，提升所述第二凹槽的深宽比。