[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置

摘要

本发明实施例公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置。本发明实施例中将沟道区上方的栅极绝缘层掺杂氟原子，由于含氟的无机层能够吸收氢原子，因此能够阻挡氢原子向下扩散进入金属氧化物半导体，从而避免影响薄膜晶体管的电性。另一方面，作为电容下电极的金属氧化物半导体仍能接受氢原子从而成为导体，与金属栅极层组成电容，通过对薄膜晶体管沟道区上方的栅极绝缘层进行氟原子掺杂，仅需使用一种金属作为金属栅极层，从而简化了工艺流程，降低了生产成本。

主权项

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上依次沉积形成缓冲层、金属氧化物层和栅极绝缘层，所述金属氧化物层包括第一区域和第二区域，所述第二区域包括沟道区；对所述栅极绝缘层进行氟原子掺杂，使得所述沟道区上方的栅极绝缘层含有氟原子，而其他区域的栅极绝缘层不含有氟原子；在所述栅极绝缘层上依次形成金属栅极层和层间介电层；经过氢化活化制程，使得所述沟道区的金属氧化物层因所述沟道区上方的栅极绝缘层含有氟原子阻挡氢原子的扩散，仍保持半导体的特性，使得氢原子穿过除所述沟道区外的其他区域金属氧化物层，形成导体；在所述金属氧化物层上依次形成源漏走线层、有机平坦层、阳极走线层和像素定义层。