[发明专利]一种半导体芯片缺陷检测设备及方法在审

专利信息
申请号: 201811477411.4 申请日: 2018-12-04
公开(公告)号: CN109613016A 公开(公告)日: 2019-04-12
发明(设计)人: 章晓文;恩云飞;雷志峰 申请(专利权)人: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
主分类号: G01N21/95 分类号: G01N21/95;G01R31/26
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 付建军
地址: 510610 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种半导体芯片缺陷检测设备及方法,所述设备包括:检测平台,待检测的半导体芯片固定安装于所述检测平台;激光发生器,所述激光发生器设置于所述检测平台上方,用于产生照射于所述半导体芯片表面的激光,所述激光发生器与所述检测平台之间能够发生相对位移,以使所述激光能够以扫描的方式照射于所述半导体芯片表面;电源,所述电源与所述半导体芯片连接,为所述半导体芯片供电;示波器,所述示波器与所述半导体芯片连接,用于检测并显示所述半导体芯片中所产生的输出电压和/或输出电流。本发明能够方便快捷地确定出待检测的半导体芯片内是否存在有潜在缺陷。
搜索关键词: 半导体芯片 检测 激光发生器 半导体芯片表面 缺陷检测设备 示波器 照射 电源 激光 潜在缺陷 输出电流 输出电压 相对位移 扫描 供电
【主权项】:
1.一种半导体芯片缺陷检测设备,其特征在于,包括:检测平台,待检测的半导体芯片固定安装于所述检测平台;激光发生器,所述激光发生器设置于所述检测平台上方,用于产生照射于所述半导体芯片表面的激光,所述激光发生器与所述检测平台之间能够发生相对位移,以使所述激光能够以扫描的方式照射于所述半导体芯片表面;电源,所述电源与所述半导体芯片连接,为所述半导体芯片供电;示波器,所述示波器与所述半导体芯片连接,用于检测并显示所述半导体芯片中所产生的输出电压和/或输出电流。
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