[发明专利]基于电容成像提离曲线的金属表面轮廓深度反演方法在审

专利信息
申请号: 201811477490.9 申请日: 2018-12-05
公开(公告)号: CN111291764A 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: 殷晓康;李晨;李振;谷悦;王克凡;符嘉明;曹松;李伟;陈国明 申请(专利权)人: 中国石油大学(华东)
主分类号: G06K9/46 分类号: G06K9/46;G06T7/00;G06T7/50;G01N17/00;G06F16/51
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 266580 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种基于电容成像提离曲线的金属表面轮廓深度反演方法,涉及无损检测信号处理领域,包括:获取电容成像探头在被测金属试件上沿提离方向扫描数据并选取拟合范围进行方程拟合;基于所述拟合后的方程构建提离和检测值一一对应数据库;获取沿检测方向检测值数据并基于所述构建的数据库进行一一匹配求解对应的提离序列;找寻最小提离值并对所述一一匹配求解的提离序列求差值得到被测金属试件轮廓深度反演结果。本方法利用电容成像在金属材料上提离曲线单调性,建立提离与检测值一一对应数据库,结合电容成像探头在被测金属试件上沿提离和检测两个方向的数据,以实现利用电容成像无损检测技术提离曲线解决金属被测件轮廓深度信息的反演。
搜索关键词: 基于 电容 成像 曲线 金属表面 轮廓 深度 反演 方法
【主权项】:
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