[发明专利]磁致伸缩应变仪传感器在审
| 申请号： | 201811477914.1 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN110034229A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 李德元 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L41/06 | 分类号： | H01L41/06;H01L41/12;H01L41/20;H01L41/47;H01L27/20;G01B7/24;G01B7/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请案涉及一种磁致伸缩应变仪传感器。一种应变仪传感器(100)包含衬底(208)、所述衬底上包括磁阻材料的至少一个电阻器。所述磁阻材料展现大于或等于(≥)|2|百万分率ppm的磁致伸缩系数λ及具有大于或等于(≥)2％ΔR/R的各向异性磁阻的各向异性磁阻效应。所述应变仪传感器由单个层的所述磁阻材料组成。到所述电阻器的至少第一触点提供传感器输入且到所述电阻器的第二触点提供传感器输出。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 磁阻材料 电阻器 磁致伸缩应变 各向异性磁阻 应变仪传感器 衬底 触点 磁致伸缩系数 单个层 申请案 输出 | ||
【主权项】：
1.一种应变仪传感器，其包括：衬底；所述衬底上的至少一个电阻器，其包括磁阻材料，所述磁阻材料展现大于或等于(≥)|2|百万分率ppm的磁致伸缩系数λ及具有大于或等于(≥)2％ΔR/R的各向异性磁阻的各向异性磁阻效应，其中所述应变仪传感器由单个层的所述磁阻材料组成，及用以提供传感器输入的到所述电阻器的至少第一触点及用以提供传感器输出的到所述电阻器的第二触点。
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