[发明专利]STT-MRAM覆晶磁屏蔽及其制造方法有效
| 申请号： | 201811479247.0 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN110021701B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 布山·巴拉特;谭宇邦;岑柏湛;易万兵 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N50/80;H10B61/00;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及STT‑MRAM覆晶磁屏蔽及其制造方法，提供数种在覆晶封装件内磁屏蔽垂直STT‑MRAM结构的所有六面的方法及所产生的装置。数个具体实施例包括：在晶圆的上表面及铝焊垫的外部上方形成钝化堆栈；在该钝化堆栈上方形成聚合物层；在该铝焊垫、该聚合物层的数个部分上方且沿着该聚合物层的侧壁形成UBM层；在该UBM层上方形成T形铜柱；在该T形铜柱上方形成μ‑凸块；将该晶圆切成多个晶粒；在各晶粒的底面上方形成环氧树脂层；在该环氧树脂层上方且沿着各晶粒、该环氧树脂层、该钝化堆栈及该聚合物层的侧壁形成磁屏蔽层；以及使该μ‑凸块连接至具有数个BGA球的封装衬底。 | ||
| 搜索关键词： | stt mram 覆晶磁 屏蔽 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包含：在晶圆的上表面及铝(Al)焊垫的数个外部上方形成钝化堆栈；在该钝化堆栈上方形成聚合物层；在该铝焊垫、该聚合物层的数个部分上方且沿着该聚合物层的侧壁形成凸块下金属(UBM)层；在该UBM层上方形成T形铜(Cu)柱；在该T形铜柱上方形成微凸块(μ‑凸块)；将该晶圆切成多个晶粒；在各晶粒的底面上方形成环氧树脂层；在该环氧树脂层上方且沿着各晶粒、该环氧树脂层、该钝化堆栈及该聚合物层的侧壁形成磁屏蔽层；以及使该μ‑凸块连接至具有数个球格阵列(BGA)球的封装衬底。
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