[发明专利]孤植树栽种工艺

摘要

本发明属于园林绿化领域，具体涉及一种孤植树栽种工艺,包括下述步骤：1)抬高地面:以种植土抬高地面30‑60cm；2)环式排盐管设置；3)步骤2)中10cm厚的陶粒层上铺设土工布用于过滤，土工布上铺一层20cm厚隔淋层，隔淋层上铺设无纺布；4)继续回填底部15cm厚基质；5)吊装入坑；6)支持层回填20‑40cm厚，反复踩实；7)沃土回填30‑60cm厚，反复踩实；8)覆盖防盐；最上层覆盖20cm厚粒径5cm松树皮。采用本申请所述的孤植树种植工艺，将植物种植的与孤植树的特殊性结合，得到的孤植树成活率高，利于推广。

主权项

1.一种孤植树栽种工艺，其特征在于，包括下述步骤：1)抬高地面:以种植土抬高地面30‑60cm；2)环式排盐管设置：确定孤植树位置中心点，直径为孤植树地径的15倍下挖开槽；深度为平地以下100‑130cm；铺设15cm厚的陶粒层，以同心圆方式每隔40‑50cm布设一圈PVC排盐盲管，管径6‑8cm，无接口、死角，保持盲管弧线平滑通畅；出口处分别与两条盲管连通引出,排盐盲管上再铺上一层10cm厚陶粒层；3)步骤2)中10cm厚的陶粒层上铺设土工布用于过滤，土工布上铺一层20cm厚隔淋层，隔淋层上铺设无纺布；4)继续回填底部15cm厚基质层；5)吊装入坑：将孤植树吊装安放于步骤4)完成后的开槽，注意观赏面，扶正，保持树根土丘外缘距离开槽壁的距离大于15cm；6)支持层回填20‑40cm厚，反复踩实；7)沃土层回填30‑60cm厚，反复踩实；8)覆盖防盐；最上层覆盖20cm厚粒径5cm松树皮。